存儲的漲價潮仍在持續(xù)！

　　2月9日，市場研究公司Counterpoint表示，截至2026年第一季度，內(nèi)存價格環(huán)比上漲80%—90%，迎來前所未有的創(chuàng)紀錄暴漲。

　　另外，高盛大幅上調(diào)了DRAM供應(yīng)短缺預(yù)期，并發(fā)出警告稱，市場正處于過去15年來最嚴重的存儲芯片供應(yīng)短缺前夜。而在幾天之前，TrendForce集邦咨詢?nèi)�面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價格季度增長幅度，預(yù)估整體Conventional DRAM合約價將從1月初公布的季增55%—60%，改為上漲90%—95%。

　　今日，在韓國證券市場上，存儲芯片概念股集體大漲，SK海力士漲近6%，三星電子漲近5%。在A股市場上，存儲芯片概念股也集體走強，炬光科技漲超17%，國芯科技漲超12%，復(fù)旦微電漲近10%，兆易創(chuàng)新（603986）、長電科技（600584）等漲超6%。

　　一季度內(nèi)存價格飆升90%

　　 Counterpoint發(fā)布的《2月內(nèi)存價格追蹤報告》顯示，截至2026年第一季度，內(nèi)存價格環(huán)比上漲80%—90%，本輪上漲的主要推手是通用服務(wù)器DRAM價格大幅攀升。此外，去年第四季度表現(xiàn)相對平穩(wěn)的NAND閃存，在第一季度也同步上漲80%—90%。疊加部分HBM3e產(chǎn)品價格走高，市場正呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲態(tài)勢。

　　以服務(wù)器級內(nèi)存為例，64GB RDIMM合約價已從去年第四季度的450美元，飆升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元關(guān)口。高級分析師Jeongku Choi指出：“存儲器行業(yè)盈利水平預(yù)計將達到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM營業(yè)利潤率已達到60%區(qū)間，這是通用DRAM利潤率首次超過HBM。2026年第一季度，DRAM利潤率將首次突破歷史峰值。盡管如此，這一水平要么成為新的常態(tài)，要么形成極高的基準——當(dāng)前看似穩(wěn)固，但一旦進入下一輪下行周期(若發(fā)生)，市場表現(xiàn)可能會更加慘淡�！�

　　此外，TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，受惠于AI浪潮的推升，存儲器與晶圓代工產(chǎn)值均將在2026年同步創(chuàng)下新高。存儲器產(chǎn)業(yè)受供給吃緊與價格飆升影響，產(chǎn)值規(guī)模大幅擴張至5516億美元。盡管晶圓代工產(chǎn)值同步創(chuàng)下2187億美元的新高紀錄，但存儲器產(chǎn)值規(guī)模已攀升至晶圓代工的2倍以上。

　　上一次存儲器超級循環(huán)落在2017—2019年，主要由云端數(shù)據(jù)中心建置需求所驅(qū)動，存儲器產(chǎn)值當(dāng)時也與晶圓代工拉開了顯著差距。然而，此次由AI需求驅(qū)動的循環(huán)與前一次相比，缺貨的狀況更為全面。AI產(chǎn)業(yè)重心由模型訓(xùn)練轉(zhuǎn)向大規(guī)模推理應(yīng)用，更強調(diào)實時響應(yīng)能力與數(shù)據(jù)存取效率，帶動服務(wù)器端對高容量、高帶寬DRAM的需求持續(xù)擴大，單機搭載容量亦同步提升。除此之外，英偉達在Vera Rubin平臺的推廣中，強化了對高效能存儲的需求，提升Enterprise(企業(yè)級)SSD的重要性。為了在Token生成效能與成本之間取得平衡，業(yè)者正加速采用大容量QLC SSD以應(yīng)對海量數(shù)據(jù)（603138）存取。

　　另一方面，客戶的需求也已顯著改變，不同于過去以終端客戶為主，此次搶貨潮由CSP(云端服務(wù)供應(yīng)商)拉動，不僅采購量呈指數(shù)級成長，對價格的敏感度相對較低，使得價格漲幅同樣超越前一次超級循環(huán)，并創(chuàng)下新紀錄。

　　此前，TrendForce集邦咨詢?nèi)�面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價格季成長幅度，預(yù)估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公布的季增55%—60%，改為上漲90%—95%，NAND Flash合約價則從季增33%—38%上調(diào)至55%—60%，并且不排除仍有進一步上修空間。

　　高盛大幅上調(diào)存儲芯片供需缺口預(yù)期

　　據(jù)追風(fēng)交易臺，知名投行高盛在2月8日的報告中表示，2026—2027年全球存儲器市場將經(jīng)歷歷史上最嚴重的供應(yīng)短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大。

　　高盛最新預(yù)測顯示，2026年和2027年DRAM供不應(yīng)求幅度將達到4.9%和2.5%，遠超此前預(yù)期的3.3%和1.1%。其中，2026年的供應(yīng)短缺將是過去15年以來最嚴重的一次。

　　驅(qū)動這一緊張局面的核心因素在于服務(wù)器需求的爆發(fā)式增長。高盛將2026年/2027年服務(wù)器DRAM(不含HBM)需求預(yù)期上調(diào)6%/10%，預(yù)計這兩年的增長率將分別達到39%和22%。如果將HBM計算在內(nèi)，服務(wù)器相關(guān)DRAM需求將占全球總需求的53%和57%，服務(wù)器已成為DRAM需求最重要的驅(qū)動力。不過，高盛下調(diào)了PC和智能手機的DRAM需求預(yù)期。

　　 NAND市場的供需格局同樣大幅收緊。高盛預(yù)計2026年/2027年NAND供不應(yīng)求幅度為4.2%/2.1%，高于此前預(yù)期的2.5%/1.2%，這將是NAND行業(yè)歷史上最大規(guī)模的短缺之一。其中，企業(yè)級SSD需求的強勁增長是主要推動力。高盛將2026年/2027年企業(yè)級SSD需求預(yù)期上調(diào)14%/14%，預(yù)計增長率將達到58%/23%，在全球NAND需求中的占比將升至36%/39%。

　　銀河證券指出，1月份，存儲市場延續(xù)2025年四季度以來的強勢上漲態(tài)勢，DRAM和NAND閃存價格漲幅持續(xù)超預(yù)期。三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價大幅上調(diào)，其中NAND閃存供應(yīng)價格上調(diào)超100%，DRAM價格漲幅達60%—70%。漲價核心驅(qū)動因素包括：AI服務(wù)器對HBM需求爆發(fā)、數(shù)據(jù)中心資本開支加碼、產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整等，供需缺口持續(xù)擴大，預(yù)計本輪漲價周期將延續(xù)至2026年年中。當(dāng)前時點，是存儲芯片賽道下一輪周期的新起點，在AI服務(wù)器需求高速增長疊加國產(chǎn)替代，看好國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)上市公司的投資機遇。

　　招商證券表示，2026年一季度以來各類存儲產(chǎn)品價格環(huán)比急劇上漲，目前在能見度范圍內(nèi)今年存儲價格持續(xù)上漲可期，同時2026年全球新增供給有限，預(yù)計存儲緊缺趨勢將延續(xù)至2027年。在價格與需求共振情況下，今年海內(nèi)外存儲將迎來業(yè)績釋放大年，后續(xù)市場價格趨勢和各環(huán)節(jié)公司業(yè)績增長持續(xù)性是核心關(guān)注點，建議關(guān)注存儲+設(shè)備+產(chǎn)業(yè)鏈三大核心環(huán)節(jié)相關(guān)公司。